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晶体管
STGW75M65DF2参考图片

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STGW75M65DF2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 PTD HIGH VOLTAGE
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库存:2,250(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥42.262
42.262
10
¥35.9566
359.566
100
¥31.1202
3112.02
250
¥29.5043
7376.075
500
¥26.5098
13254.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
120 A
Pd-功率耗散
468 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW75M65DF2
集电极最大连续电流 Ic
120 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,STGW75M65DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 9.5mOhms 36nC
1:¥17.063
10:¥14.5205
100:¥11.6051
500:¥10.1474
4,800:¥7.571
9,600:查看
参考库存:9863
晶体管
MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥14.2945
10:¥12.9046
100:¥10.3734
500:¥8.0682
1,000:¥6.6896
3,000:¥6.0455
参考库存:7272
晶体管
MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
1:¥12.6786
10:¥10.4525
100:¥7.9891
500:¥6.9043
3,000:¥5.0963
6,000:查看
参考库存:9900
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥8.9948
10:¥7.684
100:¥5.9212
500:¥5.2319
1,000:¥4.1358
5,000:¥4.1358
参考库存:15980
晶体管
MOSFET N-Ch 1000 V 1.60 Ohm Zener SuperMESH 6.5A
1:¥28.8941
10:¥24.5888
100:¥21.2892
250:¥20.2044
500:¥18.1365
参考库存:4123
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