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晶体管
STGW75M65DF2参考图片

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STGW75M65DF2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 PTD HIGH VOLTAGE
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库存:2,250(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥42.262
42.262
10
¥35.9566
359.566
100
¥31.1202
3112.02
250
¥29.5043
7376.075
500
¥26.5098
13254.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
120 A
Pd-功率耗散
468 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW75M65DF2
集电极最大连续电流 Ic
120 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,STGW75M65DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET DOUBLE
1:¥2.4634
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
10,000:¥0.32996
20,000:查看
参考库存:14111
晶体管
MOSFET N-Ch 250V 25A I2PAK-3 OptiMOS 3
1:¥20.5208
10:¥17.4472
100:¥13.9103
500:¥12.1362
参考库存:4420
晶体管
MOSFET Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
1:¥86.219
10:¥80.6029
25:¥75.6083
50:¥65.54
参考库存:3941
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 32V 2A SO-89
1:¥4.1471
10:¥3.4239
100:¥2.0792
1,000:¥1.6159
2,000:¥1.3786
参考库存:4233
晶体管
MOSFET 100V 190A 4 mOhm Automotive MOSFET
1:¥38.5782
10:¥32.7361
100:¥28.3517
250:¥26.894
参考库存:4237
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