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晶体管
ALD210814PCL参考图片

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ALD210814PCL

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库存:41,484(价格仅供参考)
数量单价合计
50
¥35.3464
1767.32
100
¥33.1203
3312.03
250
¥29.8885
7472.125
500
¥26.8149
13407.45
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Linear Devices
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
PDIP-16
通道数量
4 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
10 V
Id-连续漏极电流
70 mA
Rds On-漏源导通电阻
25 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
10.6 V
最小工作温度
0 C
最大工作温度
+ 70 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Quad
通道模式
Enhancement
商标名
EPAD
封装
Tube
系列
ALD210814P
晶体管类型
4 N-Channel
商标
Advanced Linear Devices
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
1.025 g
商品其它信息
优势价格,ALD210814PCL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH 100V HEXFET MOSFET HEXDI
1:¥6.8365
10:¥5.5822
100:¥4.2827
500:¥3.6838
参考库存:9121
晶体管
MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp
1:¥6.5314
10:¥5.6839
2,500:¥5.6839
参考库存:14661
晶体管
MOSFET 42V 2.0A
1:¥5.2206
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
4,000:¥1.8758
参考库存:15330
晶体管
MOSFET SM Sig P-CH MOS 12V VGSS -6A -30VDSS
1:¥4.0002
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:122600
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/PNP high power double bipolar trans
1:¥4.6895
10:¥3.8759
100:¥2.4973
1,000:¥2.0001
1,500:¥1.695
参考库存:8976
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