宝华芯城

晶体管

图片仅供参考，请参阅产品规格

购买、咨询产品请填写询价信息

询价型号*	数量*	批号	封装	品牌	其它要求

请确认联系方式，3分钟内即可给您回复

微信： QQ：

库存：40,904(价格仅供参考)

数量	单价	合计
暂无价格,请联系询价

询价数量：

加入询价单立即询价

相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	2.2 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	USM-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	100 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN1305
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	80
高度	0.9 mm
长度	2 mm
宽度	1.25 mm
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors

商品其它信息

优势价格，RN1305(TE85L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BSO110N03MSGXUMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 30V 12.1A DSO-8 OptiMOS 3M	1:¥6.3732 10:¥5.3449 100:¥3.4465 1,000:¥2.7685 2,500:¥2.7685	参考库存:13595
FS30R06W1E3	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 N-CH 600V 45A	1:¥223.6835 5:¥221.3783 10:¥206.3154 25:¥197.0946	参考库存:3671
APT13005DI-G1	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 450V NPN High Volt PWR Trans 450BVceo	1:¥4.3053 10:¥3.5708 100:¥2.3052 1,000:¥1.8419	参考库存:3943
F4-150R12KS4	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 N-CH 1.2KV 180A	1:¥1,722.7528 5:¥1,681.2592 10:¥1,639.5396 25:¥1,616.5554	参考库存:3671
RGW60TS65DGC11	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT	1:¥36.5781 10:¥31.0411 100:¥26.9731 250:¥25.5832	参考库存:4103