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晶体管
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IKW30N65ES5

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库存：2,065(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥28.3517
28.3517
10
¥24.0464
240.464
100
¥20.905
2090.5
250
¥19.8202
4955.05
500
¥17.7523
8876.15
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.35 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
62 A
Pd-功率耗散
188 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 S5
封装
Tube
高度
5.21 mm
长度
21.1 mm
工作温度范围
- 40 C to + 175 C
宽度
16.13 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW30N65ES5XKSA1 SP001319678
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，IKW30N65ES5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BUK9611-80E,118
Nexperia
晶体管
MOSFET TrenchMOS N-Channel
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.1755
800:¥5.6613
参考库存:9213
IPD50N04S4-10
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
1:¥5.6048
10:¥4.6669
100:¥3.0171
1,000:¥2.4182
2,500:¥2.034
参考库存:8247
2SA1552S-H
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 1.5A 160V
1:¥5.6048
10:¥4.6556
100:¥3.0058
1,000:¥2.4069
参考库存:5220
NVMFS5885NLT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 60V 39A 15MOHM
1:¥7.1416
10:¥5.9438
100:¥3.8307
1,000:¥3.0623
1,500:¥2.5877
参考库存:6641
IRFB7430PBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 40V 1.3mOhm 195A HEXFET 375W 300nC
1:¥20.2835
10:¥17.289
100:¥14.9838
250:¥14.2154
参考库存:3754
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