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晶体管
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2N1131

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 50Vcbo 50Vcer 35Vceo 0.6A Ic 2.0W PNP
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数量单价合计
1
¥48.8725
48.8725
10
¥48.4883
484.883
25
¥44.183
1104.575
100
¥39.8777
3987.77
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-39-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
35 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
最大直流电集电极电流
0.6 A
增益带宽产品fT
50 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
封装
Bulk
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
0.6 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
15 at 5 mA, 10 V
Pd-功率耗散
600 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
零件号别名
2N1131 PBFREE
单位重量
1.006 g
商品其它信息
优势价格,2N1131的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET FET 50V 3.5 OHM SOT23
1:¥2.0001
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.40002
3,000:¥0.30736
参考库存:208054
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1700V 1800A
1:¥10,021.0886
参考库存:1659
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN AMPL/SWITCH Small Signal
1:¥43.6406
10:¥43.2564
25:¥39.4144
100:¥35.5724
参考库存:1921
晶体管
MOSFET NFET 60V 73A 8.2MOHM
1:¥8.2942
10:¥7.0512
100:¥5.4127
500:¥4.7912
2,500:¥3.3448
10,000:查看
参考库存:5101
晶体管
MOSFET 300V N-Ch MOSFET
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.0625
500:¥6.2376
800:¥4.9268
参考库存:1928
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