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晶体管
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2N1131

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 50Vcbo 50Vcer 35Vceo 0.6A Ic 2.0W PNP
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数量单价合计
1
¥48.8725
48.8725
10
¥48.4883
484.883
25
¥44.183
1104.575
100
¥39.8777
3987.77
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-39-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
35 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
最大直流电集电极电流
0.6 A
增益带宽产品fT
50 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
封装
Bulk
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
0.6 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
15 at 5 mA, 10 V
Pd-功率耗散
600 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
零件号别名
2N1131 PBFREE
单位重量
1.006 g
商品其它信息
优势价格，2N1131的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TIP126-BP
Micro Commercial Components (MCC)
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -80V -5A 40W
5,000:¥3.7629
参考库存:30437
CMST5086 BK
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 275mW
15,000:¥0.46895
30,000:¥0.43844
60,000:¥0.39211
105,000:¥0.37629
参考库存:30440
FS25R12YT3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 40A
20:¥437.6038
40:¥423.5466
60:¥423.4675
100:¥392.4264
参考库存:30443
IAUC100N10S5L040ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
5,000:¥7.345
10,000:¥7.0625
参考库存:30446
FMMT619TC
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN SuperSOT
10,000:¥1.4238
参考库存:30449
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