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晶体管
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2SK3176(F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET N-Ch 200V 30A Rdson 0.052 Ohm
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PN-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
52 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
20 mm
长度
15.5 mm
系列
2SK3176
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
单位重量
7 g
商品其它信息
优势价格，2SK3176(F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DDTC113TE-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 1K
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:8833
RN2506(TE85L,F)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BRT PNP 2-in-1 Ic -100mA -50V VCEO
1:¥3.2318
10:¥1.7741
100:¥0.76049
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.44522
参考库存:8485
IHW20N135R5XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
1:¥29.041
10:¥24.6679
100:¥21.357
250:¥20.2835
500:¥18.2156
参考库存:3168
DTC115TUAT106
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:8499
SBC847CLT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR SPCL TR
1:¥2.7685
10:¥1.7628
100:¥0.76049
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.44522
参考库存:24790
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