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晶体管
STP120N4F6参考图片

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STP120N4F6

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 3.5m Ohm 80A STripFET VI
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库存：5,663(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.6788
16.6788
10
¥14.2154
142.154
100
¥11.3678
1136.78
500
¥9.9101
4955.05
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
4.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
65 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
封装
Tube
系列
STP120N4F6
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
70 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格，STP120N4F6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IFN363
InterFET
晶体管
JFET N-Ch -40V JFET -0.3 1.0V Igss 1.0V Idss
71:¥101.2028
100:¥93.1346
250:¥84.9082
500:¥79.3712
参考库存:28628
NVMFS5C406NWFT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6 40V SG NCH SO8FL HEFET
1,500:¥9.9101
4,500:¥9.5259
9,000:¥9.1417
参考库存:28631
APTGLQ40HR120CT3G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥570.537
5:¥552.7056
10:¥535.959
25:¥511.7544
参考库存:28634
STWA68N60M6
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET
1:¥74.9981
10:¥67.7774
25:¥64.6247
100:¥56.0932
参考库存:2410
RDD020N60TL
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET MOSFET
2,500:¥3.9889
10,000:¥3.842
参考库存:28639
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