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晶体管
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ALD910018SALI

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数量单价合计
50
¥27.2782
1363.91
100
¥25.5154
2551.54
250
¥23.052
5763
500
¥20.6677
10333.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Linear Devices
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
10.6 V
Id-连续漏极电流
80 mA
Rds On-漏源导通电阻
14 GOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.78 V
Vgs - 栅极-源极电压
10.6 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Advanced Linear Devices
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
85 mg
商品其它信息
优势价格,ALD910018SALI的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 20V/1.6A LOADSWITCH IN SOT457
1:¥3.7629
10:¥2.8928
100:¥1.5707
1,000:¥1.1752
3,000:¥1.01474
参考库存:2788
晶体管
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
1:¥22.4418
10:¥19.0518
100:¥15.2098
500:¥13.3679
1,000:¥11.0627
参考库存:1508
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR DL SPCL
1:¥3.2996
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82264
3,000:¥0.69947
参考库存:4577
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
1:¥2.0792
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.39211
3,000:¥0.30736
参考库存:16019
晶体管
达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
1:¥5.1528
10:¥4.3053
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
参考库存:2621
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