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晶体管
TK10A50D(STA4,Q,M)参考图片

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TK10A50D(STA4,Q,M)

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch MOS 10A 500V 45W 1050pF 0.72
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库存:3,355(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.5996
14.5996
10
¥11.752
117.52
100
¥9.4468
944.68
500
¥8.2942
4147.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
620 mOhms
Qg-栅极电荷
20 nC
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
商标名
DTMOSIV
高度
15 mm
长度
10 mm
产品
MOSFET
系列
TK10A50D
晶体管类型
1 N-Channel
类型
N-Channel Silicon MOSFET
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
75 ns
典型接通延迟时间
60 ns
单位重量
2.270 g
商品其它信息
优势价格,TK10A50D(STA4,Q,M)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V N CH MOSFET
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1471
250:¥4.1471
500:¥3.6612
参考库存:3670
晶体管
MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
1:¥3.2996
10:¥2.7685
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:2383
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.052 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥76.84
10:¥69.4611
25:¥66.2406
100:¥57.4718
参考库存:32028
晶体管
IGBT 模块 1200V 25A IGBT
1:¥627.0144
5:¥607.6462
10:¥587.826
25:¥568.2318
50:¥560.4687
参考库存:1389
晶体管
MOSFET N-Ch 640V 5A 0.88Ohm typ. Mdmesh II
1:¥15.142
10:¥12.8368
100:¥10.2943
500:¥8.9948
2,500:¥6.9269
5,000:查看
参考库存:1927
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