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晶体管
IPZ65R095C7XKSA1参考图片

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IPZ65R095C7XKSA1

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库存:3,512(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥45.7989
45.7989
10
¥41.4145
414.145
25
¥39.4935
987.3375
100
¥34.2729
3427.29
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
24 A
Rds On-漏源导通电阻
84 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
45 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
128 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
21.1 mm
长度
16.13 mm
系列
CoolMOS C7
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.21 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
IPZ65R095C7 SP001080130
商品其它信息
优势价格,IPZ65R095C7XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 650V 25A IGBT Stop Trench
1:¥24.2046
10:¥20.5886
100:¥17.8992
250:¥16.9839
参考库存:3962
晶体管
MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 26.5mOhms
1:¥16.4415
10:¥13.9894
100:¥11.2209
500:¥9.7632
参考库存:4502
晶体管
MOSFET N-Chnl 60V
1:¥5.537
10:¥4.6443
100:¥2.9945
1,000:¥2.3956
参考库存:8747
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Resistor Equipped Transistor
1:¥3.2318
10:¥2.2713
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
10,000:¥0.62263
20,000:查看
参考库存:13556
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 0.7A 15V
1:¥3.0736
10:¥2.0679
100:¥0.86784
1,000:¥0.59212
3,000:¥0.46104
参考库存:6533
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