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晶体管
STB80N20M5参考图片

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STB80N20M5

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 200V 0.019 61A Mdmesh V
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数量单价合计
1
¥47.0984
47.0984
10
¥42.5671
425.671
25
¥40.6461
1016.1525
100
¥35.2673
3526.73
1,000
¥26.7358
26735.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
61 A
Rds On-漏源导通电阻
23 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
104 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
190 W
配置
Single
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STB80N20M5
晶体管类型
1 N-Channel
类型
N-Channel MDmesh V Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
1.6 S
下降时间
176 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
31 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
131 ns
典型接通延迟时间
66 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STB80N20M5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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100:¥2.5199
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1:¥7.1416
10:¥6.0568
100:¥4.6556
500:¥4.1132
参考库存:5275
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