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晶体管
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IPI029N06NAKSA1

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数量单价合计
1
¥13.9894
13.9894
10
¥11.8311
118.311
100
¥9.4468
944.68
500
¥8.2942
4147.1
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
2.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
66 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
9.45 mm
长度
10.2 mm
产品
OptiMOS Power
系列
OptiMOS 5
晶体管类型
1 N-Channel
类型
OptiMOS 3 Power-Transistor
宽度
4.5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
80 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
IPI029N06N IPI29N6NXK SP000962134
单位重量
2.387 g
商品其它信息
优势价格，IPI029N06NAKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TJ40S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
晶体管
MOSFET P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091
1:¥12.3735
10:¥9.9101
100:¥7.6049
500:¥6.7574
2,000:¥4.7686
10,000:查看
参考库存:5064
NTJD4001NT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET 30V 250mA Dual N-Channel
1:¥3.6838
10:¥2.3617
100:¥1.01474
1,000:¥0.78422
3,000:¥0.59212
参考库存:115902
IPG20N10S4L-35
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥8.1473
10:¥6.9495
100:¥5.3449
500:¥4.7234
5,000:¥3.2996
10,000:查看
参考库存:25378
PMPB10XNEZ
Nexperia
晶体管
MOSFET 20V single N-channel Trench MOSFET
1:¥3.842
10:¥3.1866
100:¥1.9323
1,000:¥1.5029
3,000:¥1.2882
参考库存:5277
BUK7240-100A,118
Nexperia
晶体管
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥7.8422
10:¥6.7461
100:¥5.1867
500:¥4.5765
2,500:¥3.2092
10,000:查看
参考库存:24620
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