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晶体管
IPI029N06NAKSA1参考图片

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IPI029N06NAKSA1

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数量单价合计
1
¥13.9894
13.9894
10
¥11.8311
118.311
100
¥9.4468
944.68
500
¥8.2942
4147.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
2.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
66 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
9.45 mm
长度
10.2 mm
产品
OptiMOS Power
系列
OptiMOS 5
晶体管类型
1 N-Channel
类型
OptiMOS 3 Power-Transistor
宽度
4.5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
80 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
IPI029N06N IPI29N6NXK SP000962134
单位重量
2.387 g
商品其它信息
优势价格,IPI029N06NAKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥281.3926
5:¥268.714
10:¥260.3294
25:¥239.1984
参考库存:3653
晶体管
MOSFET N-CH 100V 26.8 MOHM MOSFET
1:¥8.3733
10:¥7.119
100:¥5.4692
500:¥4.8364
800:¥3.8194
参考库存:3575
晶体管
MOSFET -12V Vds 8V Vgs SOT-23
1:¥3.2996
10:¥2.5086
100:¥1.8645
500:¥1.5368
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.1865
参考库存:40880
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥125.5543
10:¥114.1074
25:¥105.5759
50:¥99.892
参考库存:3879
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN G.P. TRANSISTOR
1:¥228.373
10:¥223.8304
100:¥219.2991
250:¥210.8467
参考库存:3640
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