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晶体管
IPI029N06NAKSA1参考图片

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IPI029N06NAKSA1

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数量单价合计
1
¥13.9894
13.9894
10
¥11.8311
118.311
100
¥9.4468
944.68
500
¥8.2942
4147.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
2.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
66 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
9.45 mm
长度
10.2 mm
产品
OptiMOS Power
系列
OptiMOS 5
晶体管类型
1 N-Channel
类型
OptiMOS 3 Power-Transistor
宽度
4.5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
80 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
IPI029N06N IPI29N6NXK SP000962134
单位重量
2.387 g
商品其它信息
优势价格,IPI029N06NAKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 80V 1.5A Transistor
1:¥4.6104
10:¥3.8081
100:¥2.3165
1,000:¥1.7854
2,000:¥1.5255
参考库存:6061
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Silicon Digital TRANSISTOR
1:¥2.6894
10:¥1.8419
100:¥0.7684
1,000:¥0.52206
10,000:¥0.35369
20,000:查看
参考库存:21667
晶体管
MOSFET PT8PZ 30/25V VIS W/ 2X2
1:¥6.1472
10:¥5.085
100:¥3.277
1,000:¥2.6329
3,000:¥2.2261
参考库存:16860
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥270.3186
5:¥256.8038
10:¥250.0351
25:¥229.8307
参考库存:2961
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.356
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:243067
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