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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	200 kOhms
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-723
直流集电极/Base Gain hfe Min	120
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最小工作温度	- 65 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN1132MFV
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	50 V
直流电流增益 hFE 最大值	700
发射极 - 基极电压 VEBO	5 V
高度	0.5 mm
长度	1.2 mm
工作温度范围	- 65 C to + 150 C
类型	NPN Epitaxial Silicon Transistor
宽度	0.8 mm
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors

商品其它信息

优势价格，RN1132MFV(TPL3)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
KST10MTF	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial	1:¥1.7628 10:¥1.1639 100:¥0.48364 1,000:¥0.32996 3,000:¥0.26103	参考库存:33319
FQD3N60CTM-WS	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 600V 2.4A N-Channel Q-FET	1:¥6.7574 10:¥5.7743 100:¥4.4296 500:¥3.9098 1,000:¥3.0849 2,500:¥2.9493	参考库存:8137
FDFS2P753Z	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET -30V -3A 115 OHM PoserTrench MOSFET	1:¥4.4522 10:¥3.7064 100:¥2.3843 1,000:¥1.9097 2,500:¥1.6159	参考库存:4910
BSC120N03LS G	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3	1:¥4.3053 10:¥3.616 100:¥2.3391 1,000:¥1.8758 5,000:¥1.8758	参考库存:6445
BTS247ZE3062AATMA2	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 55V 19A D2PAK-4	1:¥26.894 10:¥22.8938 100:¥19.8202 250:¥18.8258 1,000:¥14.2945 2,000:查看	参考库存:2229