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晶体管
STP11NM60参考图片

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STP11NM60

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp
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库存:37,411(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥25.5832
25.5832
10
¥21.7412
217.412
100
¥18.8258
1882.58
250
¥17.8992
4474.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
450 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
160 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
系列
STP11NM60
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
5.2 S
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
2.240 g
商品其它信息
优势价格,STP11NM60的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:14731
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 200mW
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:5698
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥38.8833
10:¥33.0412
100:¥28.6568
250:¥27.1991
500:¥24.3628
参考库存:2983
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥6.0681
10:¥5.0511
100:¥3.2544
1,000:¥2.6103
参考库存:4257
晶体管
MOSFET 250V N-Channel QFET
1:¥9.9892
10:¥8.5315
100:¥6.4975
500:¥5.7517
1,000:¥4.5313
参考库存:3673
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