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晶体管
JAN2N3737UB/TR参考图片

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JAN2N3737UB/TR

  • Microsemi
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
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库存:36,426(价格仅供参考)
数量单价合计
100
¥159.6012
15960.12
250
¥146.5384
36634.6
500
¥139.4646
69732.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
LCC-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极—基极电压 VCBO
75 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.9 V
最大直流电集电极电流
1.5 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
直流电流增益 hFE 最大值
150 at 500 mA, 1 V
商标
Microchip / Microsemi
直流集电极/Base Gain hfe Min
20 at 1 A, 1.5 V
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,JAN2N3737UB/TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
10,000:¥1.10627
参考库存:31112
晶体管
IGBT 模块 1200V 50A IGBT
80:¥640.5405
参考库存:31115
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 60Vcbo 40Vcer 5.0Vebo 2.0W 35pF
500:¥75.8456
1,000:¥73.0771
参考库存:31118
晶体管
射频(RF)双极晶体管
10:¥1,900.9425
参考库存:31121
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 0.47K 10K
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
参考库存:31124
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