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晶体管
TK31V60X,LQ参考图片

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TK31V60X,LQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V)
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库存：4,131(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥37.4934
37.4934
10
¥30.1258
301.258
100
¥27.5042
2750.42
250
¥24.8148
6203.7
2,500
¥17.8314
44578.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN8x8-5
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
30.8 A
Rds On-漏源导通电阻
78 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
65 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
240 W
配置
Triple
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSIV
封装
Reel
高度
0.85 mm
长度
8 mm
系列
TK31V60X
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
8 mm
商标
Toshiba
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
130 ns
典型接通延迟时间
55 ns
单位重量
37.400 mg
商品其它信息
优势价格，TK31V60X,LQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIDR626DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
1:¥21.8994
10:¥18.2156
100:¥14.0572
500:¥12.2944
3,000:¥9.5259
6,000:查看
参考库存:6960
SMBT 2907A E6327
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF GP BJT PNP 60V 0.6A
1:¥1.695
10:¥1.1639
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.26103
参考库存:45707
2N6486
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Med Pwr
1:¥16.5997
10:¥14.7578
100:¥11.8311
500:¥10.3734
参考库存:1729
SIDR392DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
1:¥20.905
10:¥17.3681
100:¥13.447
500:¥11.752
1,000:¥9.7632
3,000:¥9.0626
参考库存:7271
D45H2A
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Power Transistor
1:¥9.9892
10:¥8.5315
100:¥6.5879
500:¥5.8195
参考库存:1397
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