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晶体管
EMH61T2R参考图片

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EMH61T2R

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 NPN+NPN Digital transistor(with built-in resistors)
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库存:11,576(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥1.9775
19.775
100
¥0.85315
85.315
1,000
¥0.65314
653.14
8,000
¥0.43844
3507.52
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
配置
Dual
晶体管极性
NPN
典型输入电阻器
10 kOhms
典型电阻器比率
1
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
EMT-6
直流集电极/Base Gain hfe Min
35
最大工作频率
250 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
100 mA
峰值直流集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
150 mW
最大工作温度
+ 150 C
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
输出电压
50 mV
商标
ROHM Semiconductor
通道模式
Enhancement
最大直流电集电极电流
100 mA
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
8000
子类别
Transistors
零件号别名
EMH61
商品其它信息
优势价格,EMH61T2R的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL 60V 1A LOWVCESA
1:¥4.5313
10:¥3.7516
100:¥2.2939
1,000:¥1.7628
3,000:¥1.5029
参考库存:3657
晶体管
MOSFET POWER MOSFET
1:¥12.0684
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥6.9721
3,000:¥4.8816
9,000:查看
参考库存:3736
晶体管
MOSFET Nch 600V 4A Si MOSFET
1:¥13.7521
10:¥11.6842
100:¥9.379
500:¥8.1473
1,000:¥6.8026
参考库存:2523
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H
1:¥1,330.9479
5:¥1,298.9011
10:¥1,266.7074
25:¥1,248.9551
50:¥1,248.9551
参考库存:1648
晶体管
MOSFET N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥10.7576
10:¥8.9157
100:¥6.7913
500:¥5.8421
1,000:¥4.6104
3,000:¥4.6104
参考库存:8787
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