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晶体管
STB10N60M2参考图片

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STB10N60M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A
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数量单价合计
1
¥13.9103
13.9103
10
¥11.8311
118.311
100
¥9.4468
944.68
500
¥8.2264
4113.2
1,000
¥6.8704
6870.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
7.5 A
Rds On-漏源导通电阻
600 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
13.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
85 W
配置
Single
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STB10N60M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
13.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32.5 ns
典型接通延迟时间
8.8 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，STB10N60M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NSBC144WDP6T5G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL NBRT
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
8,000:¥0.66896
24,000:查看
参考库存:22032
RFM00U7U(TE85L,F)
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10:¥8.2264
100:¥6.2828
500:¥5.5596
3,000:¥3.8872
9,000:查看
参考库存:22035
RN2910FE,LF(CT
Toshiba
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双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
4,000:¥0.20792
参考库存:22038
NTP8G206NG
ON Semiconductor
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暂无价格
参考库存:22041
BD680AS
ON Semiconductor / Fairchild
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达林顿晶体管 PNP Epitaxial Sil
1:¥4.6104
10:¥3.8759
100:¥2.5086
1,000:¥2.0001
参考库存:2424
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