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晶体管
STL18N60M2参考图片

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STL18N60M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.278 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 HV package
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库存:36,181(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥39.6517
39.6517
10
¥33.6514
336.514
100
¥29.1992
2919.92
250
¥27.6624
6915.6
3,000
¥19.8993
59697.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT-5x6-HV-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
9 A
Rds On-漏源导通电阻
308 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
21.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
57 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STL18N60M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
10.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
47 ns
典型接通延迟时间
12 ns
商品其它信息
优势价格,STL18N60M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
1:¥2.7685
10:¥1.7854
100:¥0.7458
1,000:¥0.50737
3,000:¥0.3842
参考库存:7974
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
1:¥3.1527
10:¥2.0792
100:¥0.89157
1,000:¥0.68365
10,000:¥0.46104
20,000:查看
参考库存:13601
晶体管
JFET N-Ch -25V JFET 10mA 300mW 10mA 1.7mW
1:¥90.1288
10:¥73.9246
100:¥61.3138
500:¥55.935
参考库存:3807
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 60V Transistor
1:¥5.989
10:¥5.0059
100:¥3.2318
1,000:¥2.5764
3,000:¥2.5764
参考库存:25465
晶体管
MOSFET 400V N-Channel Depletion-Mode FET
1:¥8.3733
10:¥7.3224
25:¥6.4749
50:¥6.2715
1,000:¥3.2544
2,000:查看
参考库存:4751
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