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晶体管

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APTGT400U170D4G

  • Microsemi
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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存:32,037(价格仅供参考)
数量单价合计
100
¥1,314.8906
131489.06
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.7 kV
集电极—射极饱和电压
2 V
在25 C的连续集电极电流
800 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
2.08 kW
封装 / 箱体
D4-5
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Bulk
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
350 g
商品其它信息
优势价格,APTGT400U170D4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Quad N-Channel Array
1:¥36.6572
10:¥32.7361
25:¥29.4252
50:¥28.6568
参考库存:1258
晶体管
MOSFET MV POWER MOS
1:¥6.8365
10:¥5.7065
100:¥3.6838
1,000:¥2.9493
5,000:¥2.486
参考库存:21333
晶体管
IGBT 晶体管 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT
1:¥12.0684
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥6.9721
1,000:¥5.5144
2,500:¥4.8816
参考库存:2896
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
10,000:¥0.89157
20,000:¥0.81473
50,000:¥0.78422
100,000:¥0.75258
参考库存:31802
晶体管
MOSFET Automotive-grade P-channel -30 V, 0.027 Ohm typ., -12 A, STripFET H6 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥6.6105
10:¥5.5935
100:¥4.3053
500:¥3.8081
2,500:¥2.6555
10,000:查看
参考库存:2464
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