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晶体管
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SPB18P06PGATMA1

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数量单价合计
1
¥8.8366
8.8366
10
¥7.5597
75.597
100
¥5.8082
580.82
500
¥5.1302
2565.1
1,000
¥4.0567
4056.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
18.7 A
Rds On-漏源导通电阻
101 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
- 28 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
81.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
XPB18P06
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
5 S
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.8 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
G SP000102181 SPB18P06P SPB18P6PGXT
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，SPB18P06PGATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
QPD1823
Qorvo
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