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晶体管
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FQA28N15

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数量单价合计
1
¥13.1419
13.1419
10
¥11.1418
111.418
100
¥8.9157
891.57
500
¥7.8422
3921.1
1,000
¥6.4523
6452.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PN-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
33 A
Rds On-漏源导通电阻
90 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
277 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
20.1 mm
长度
16.2 mm
系列
FQA28N15
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
20 S
下降时间
115 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
180 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
100 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
FQA28N15_NL
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格，FQA28N15的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TPC8066-H,LQ(S
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch 30V FET 11A 1.9W 1100pF
2,500:¥2.5086
10,000:¥2.4182
25,000:¥2.3165
参考库存:29397
APT13003LZTR-G1
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2,000:¥0.44522
10,000:¥0.40002
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NXP / Freescale
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1,000:¥1.7063
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10,000:¥1.356
25,000:¥1.2882
50,000:¥1.2543
参考库存:29406
TK5P53D(T6RSS-Q)
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 5A 525V 80W 540pF 1.5Ohm
2,000:¥3.955
10,000:¥3.8081
24,000:¥3.6838
参考库存:29409
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