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晶体管
SH8J66TB1参考图片

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SH8J66TB1

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Pch+Pch -30V -9A MOSFET
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数量单价合计
1
¥16.1364
16.1364
10
¥13.673
136.73
100
¥10.9836
1098.36
500
¥9.605
4802.5
1,000
¥7.91
7910
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP-8
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
9 A
Rds On-漏源导通电阻
19 mOhms
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
11 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
单位重量
851 mg
商品其它信息
优势价格,SH8J66TB1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor Epitaxial
1:¥2.5312
10:¥1.7063
100:¥0.71416
1,000:¥0.48364
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1:¥10.2152
10:¥8.7575
100:¥6.7348
500:¥5.9551
1,000:¥4.7008
5,000:¥4.7008
参考库存:36225
晶体管
MOSFET N-channel 1.8mohm MOSFET
1:¥11.3678
10:¥11.2209
25:¥9.4468
100:¥8.6106
3,300:¥7.5371
9,900:查看
参考库存:6308
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MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 27nC
1:¥8.9948
10:¥7.684
100:¥5.9099
500:¥5.2206
1,000:¥4.1245
2,000:¥4.1245
参考库存:6487
晶体管
IGBT 晶体管 PowerMESH TM IGBT
1:¥9.2999
10:¥7.91
100:¥6.1133
500:¥5.4127
1,000:¥4.2601
参考库存:6237
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