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晶体管
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IPB017N10N5ATMA1

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数量单价合计
1
¥48.6352
48.6352
10
¥41.3354
413.354
100
¥35.8097
3580.97
250
¥33.9678
8491.95
1,000
¥25.7414
25741.4
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
1.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
168 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 5
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
132 S
下降时间
27 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
23 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
80 ns
典型接通延迟时间
33 ns
零件号别名
IPB017N10N5 SP001227028
单位重量
1.600 g
商品其它信息
优势价格，IPB017N10N5ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IKP08N65F5XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥15.142
10:¥12.9046
100:¥10.2943
500:¥8.9948
参考库存:4033
US5U1TR
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET N-CH 30V 1.5A
1:¥4.8364
10:¥3.9776
100:¥2.4182
1,000:¥1.8758
3,000:¥1.5933
参考库存:6651
STGP19NC60HD
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 19 A - 600 V very fast IGBT
1:¥15.9782
10:¥13.6052
100:¥10.9158
500:¥9.5259
参考库存:14606
2SA1163-BL(TE85L,F
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Trans -0.1A LN -120V VCEO
1:¥3.6838
10:¥2.0566
100:¥0.88366
1,000:¥0.67574
3,000:¥0.51528
参考库存:9160
IRF7401TRPBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET MOSFT 20V 8.7A 22mOhm 32nC
1:¥6.7574
10:¥5.6274
100:¥3.6386
1,000:¥2.9154
4,000:¥2.9154
参考库存:9807
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