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晶体管
IPN50R2K0CEATMA1参考图片

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IPN50R2K0CEATMA1

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库存:6,142(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.9211
3.9211
10
¥3.0397
30.397
100
¥1.6498
164.98
1,000
¥1.2317
1231.7
3,000
¥1.06785
3203.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
2.4 A
Rds On-漏源导通电阻
4.68 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
6 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.6 mm
长度
6.5 mm
系列
CoolMOS CE
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.5 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
38 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
IPN50R2K0CE SP001461194
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格,IPN50R2K0CEATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 80V N-Channel PowerTrench
1:¥11.30
10:¥9.605
100:¥7.3563
500:¥6.4975
1,000:¥5.1302
2,500:¥5.1302
参考库存:5847
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 4A 80V 40W NPN
1:¥5.1528
10:¥4.2149
100:¥2.7233
1,000:¥2.1809
参考库存:11862
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 35 Watt 32 Volt GaN
1:¥1,386.8038
25:¥1,251.5654
参考库存:3883
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) JFET N-Ch
1:¥4.7686
10:¥4.068
100:¥2.5312
1,000:¥1.921
2,500:¥1.695
参考库存:11278
晶体管
MOSFET 300V 25Ohm
1:¥4.9155
10:¥4.8364
25:¥4.1132
100:¥3.7177
3,000:¥2.3617
9,000:查看
参考库存:12413
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