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晶体管
FGH40N65UFDTU-F085参考图片

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FGH40N65UFDTU-F085

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库存:4,636(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥38.2618
38.2618
10
¥32.4988
324.988
100
¥28.1257
2812.57
250
¥26.7358
6683.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
290 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FGH40N65UF_F085
资格
AEC-Q101
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
+/- 400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
FGH40N65UFDTU_F085
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格,FGH40N65UFDTU-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms
1:¥12.8368
10:¥10.9158
100:¥8.7575
500:¥7.6275
3,000:¥5.8873
6,000:查看
参考库存:40869
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPLR PW TRANS FLAT LEAD 4.5x4.0mm
1,000:¥1.7402
2,000:¥1.4464
参考库存:40872
晶体管
MOSFET 60V 35A Single N-Chan Pwr MOSFET
1:¥6.5314
10:¥5.763
100:¥4.4296
500:¥3.277
2,500:¥2.3052
5,000:查看
参考库存:40875
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
3,000:¥0.20792
12,000:¥0.20792
24,000:¥0.18419
45,000:¥0.16159
99,000:¥0.13786
参考库存:40878
晶体管
MOSFET N-Ch 30 Volt 40 Amp
1:¥11.4469
10:¥9.6841
100:¥7.7631
500:¥6.78
2,500:¥5.2319
5,000:查看
参考库存:40881
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