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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Taiwan Semiconductor
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
通道数量	2 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Id-连续漏极电流	38 A, 107 A
Rds On-漏源导通电阻	8.8 mOhms, 2.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压	10 V
Qg-栅极电荷	9.3 nC, 49 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	30 W, 69 W
配置	Dual
通道模式	Enhancement
封装	Reel
晶体管类型	Asymmetric Dual N-Channel Power MOSFET
商标	Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值	27 S, 47 S
下降时间	14 ns, 49 ns
湿度敏感性	Yes
产品类型	MOSFET
上升时间	65 ns, 79 ns
工厂包装数量	2500
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	8.2 ns, 34 ns
典型接通延迟时间	4.8 ns, 11 ns

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
FS35R12KE3G	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 1200V 35A 3-PHASE	1:¥562.9321 5:¥552.6378 10:¥538.3433 25:¥527.7326	参考库存:42782
STD7NS20T4	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 200 Volt 7 Amp	1:¥9.2999 10:¥7.91 100:¥6.0681 500:¥5.3675 2,500:¥3.7629 10,000:查看	参考库存:5437
RJH1CM7DPQ-E0#T2	Renesas Electronics	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 IGBT	1:¥53.788 10:¥47.9459 25:¥43.1886 50:¥41.2676	参考库存:42787
DTA144ECA-TP	Micro Commercial Components (MCC)	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 Sgle PNP, -100mA	3,000:¥0.29945 9,000:¥0.25312 24,000:¥0.23843 45,000:¥0.22261 99,000:¥0.20001	参考库存:42790
BC 846S H6727	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR	1:¥2.7685 10:¥1.921 100:¥0.79891 1,000:¥0.54579 3,000:¥0.43053	参考库存:42793