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晶体管
IRFH5406TRPBF参考图片

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IRFH5406TRPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 14.4mOhms 23nC
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库存:11,918(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.5994
10.5994
10
¥9.0626
90.626
100
¥6.9608
696.08
500
¥6.1585
3079.25
4,000
¥4.3053
17221.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
14.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
23 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
46 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.83 mm
长度
6 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
27 S
下降时间
3.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.7 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
5.4 ns
零件号别名
SP001577902
商品其它信息
优势价格,IRFH5406TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NCH 2A 1500V 13OHMS TO263
1:¥29.5043
10:¥25.1312
100:¥21.7412
250:¥20.6677
800:¥15.594
2,400:查看
参考库存:31820
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 80V PNP
1:¥1.6159
10:¥1.4238
100:¥0.49946
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:261829
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
1:¥10.6785
10:¥9.1417
100:¥6.9947
500:¥6.1811
800:¥4.8816
参考库存:8567
晶体管
MOSFET N-channel 30 V 1.5 mo FET
1:¥20.905
10:¥17.7523
100:¥15.4471
250:¥14.5996
800:¥11.0627
2,400:查看
参考库存:4658
晶体管
MOSFET NFET 25V/8V 75mA 350
1:¥3.4578
10:¥2.3956
100:¥1.10627
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72207
参考库存:28421
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