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晶体管
IRLHM630TRPBF参考图片

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IRLHM630TRPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.5mOhms 41nC
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库存:15,316(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.9156
6.9156
10
¥5.9438
59.438
100
¥4.5765
457.65
500
¥4.0341
2017.05
1,000
¥3.1866
3186.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
3.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
41 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.7 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.05 mm
长度
3.3 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
140 S
下降时间
43 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
32 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
65 ns
典型接通延迟时间
9.1 ns
零件号别名
SP001568974
单位重量
726 mg
商品其它信息
优势价格,IRLHM630TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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100:¥17.289
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6,000:查看
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IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
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10:¥23.4362
100:¥20.2835
250:¥19.2891
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1:¥8.7575
10:¥7.5258
100:¥5.7856
500:¥5.1189
1,000:¥4.0341
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MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥12.8368
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.0173
3,000:¥7.0173
参考库存:7326
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1:¥9.0626
10:¥7.7631
100:¥5.989
500:¥5.2997
1,000:¥4.181
2,500:¥4.181
参考库存:19438
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