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晶体管
BDX33BG参考图片

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BDX33BG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 10A 80V Bipolar Power NPN
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库存:2,160(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.9156
6.9156
10
¥5.7178
57.178
100
¥3.6838
368.38
1,000
¥2.9493
2949.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
最大直流电集电极电流
10 A
最大集电极截止电流
1000 uA
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BDX33B
封装
Tube
直流电流增益 hFE 最大值
750 at 3 A at 3 V
高度
15.75 mm
长度
10.53 mm
宽度
4.83 mm
商标
ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
750
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,BDX33BG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET T6-D3F 40V NFET
5,000:¥4.0341
10,000:¥3.8872
参考库存:42533
晶体管
MOSFET P-Channel,MOSFETS,SOT-23 Package
1:¥5.0737
10:¥3.9437
100:¥2.712
1,000:¥1.4012
30,000:¥1.09836
48,000:查看
参考库存:42536
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥337.7909
5:¥319.4962
10:¥315.8915
25:¥292.1502
参考库存:42539
晶体管
JFET JFET N-Channel -40V 50mA 360mW 3.27mW
391:¥18.1365
500:¥16.2946
1,000:¥13.7521
2,500:¥13.0628
参考库存:42542
晶体管
MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp
1:¥21.9785
10:¥18.2156
100:¥14.9838
250:¥14.5205
3,000:¥10.4525
6,000:查看
参考库存:42545
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