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晶体管
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PTFB182503FL-V2-R0

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库存:29,717(价格仅供参考)
数量单价合计
50
¥823.8039
41190.195
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
30 mOhms
增益
19 dB
输出功率
240 W
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-34288-4/2
封装
Reel
工作频率
1805 MHz to 1880 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格,PTFB182503FL-V2-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC
暂无价格
参考库存:27890
晶体管
MOSFET TRANS MOSFET NCH 500V 13A 3PIN
1,000:¥13.9894
2,000:¥13.2888
5,000:¥12.8368
参考库存:27893
晶体管
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1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
5,000:¥4.0906
10,000:查看
参考库存:27896
晶体管
MOSFET 24V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 2.4 x 1.6
1:¥6.5314
10:¥5.198
100:¥3.955
500:¥3.2544
1,000:¥2.6103
3,000:¥2.3617
参考库存:7572
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥548.8636
参考库存:27901
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