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晶体管
IPB60R600P6ATMA1参考图片

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IPB60R600P6ATMA1

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库存:27,404(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.9893
11.9893
10
¥10.2152
102.152
100
¥7.8422
784.22
500
¥6.9269
3463.45
1,000
¥5.4692
5469.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
Vds-漏源极击穿电压
600 V
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS P6
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
零件号别名
IPB60R600P6 SP001313874
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPB60R600P6ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -30V 28A P-Channel PowerTrench
1:¥15.2098
10:¥12.9046
100:¥10.2943
500:¥9.0626
3,000:¥6.9495
6,000:查看
参考库存:5639
晶体管
MOSFET P-CH -100V HEXFET MOSFET
1:¥8.6106
10:¥7.6501
100:¥6.0455
500:¥4.6895
1,000:¥3.7064
参考库存:10031
晶体管
MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp
1:¥7.684
10:¥6.3732
100:¥5.7743
500:¥4.4748
1,000:¥3.5369
参考库存:7517
晶体管
MOSFET N-CH 600V HEXFET MOSFET
1:¥44.7932
参考库存:3506
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt
10:¥168.0536
参考库存:3215
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