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晶体管
IPB60R099C6参考图片

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IPB60R099C6

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 650V 38A D2PAK-2 CoolMOS C6
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数量单价合计
1
¥45.0305
45.0305
10
¥38.2618
382.618
100
¥33.1994
3319.94
250
¥31.4253
7856.325
1,000
¥23.8204
23820.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
37.9 A
Rds On-漏源导通电阻
99 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
119 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
278 W
配置
Single
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS C6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
75 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
IPB60R099C6ATMA1 IPB6R99C6XT SP000687468
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPB60R099C6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 100Vcbo 100Vces 12Vebo 500mA 625mW
10,000:¥0.71416
24,000:¥0.65314
50,000:¥0.63054
100,000:¥0.60681
参考库存:30845
晶体管
MOSFET SMD Small Sig Mosfet Dual N-Ch Enh Mode
2,500:¥2.0792
10,000:¥2.0001
25,000:¥1.921
参考库存:7021
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BUJ303CD/DPAK/REEL 13" Q1/T1 *
7,500:¥1.921
10,000:¥1.8532
25,000:¥1.7854
50,000:¥1.7515
参考库存:30850
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥456.1245
参考库存:30853
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 30Vcbo 25Vceo 4.5Vebo 50mA 275mW
15,000:¥0.46895
30,000:¥0.43844
60,000:¥0.39211
105,000:¥0.37629
参考库存:30856
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