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晶体管
SIHB30N60E-GE3参考图片

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SIHB30N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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库存:4,900(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥53.2456
53.2456
10
¥47.7199
477.199
100
¥39.4144
3941.44
250
¥35.5724
8893.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
29 A
Rds On-漏源导通电阻
125 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
85 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
36 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
32 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
63 ns
典型接通延迟时间
19 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格,SIHB30N60E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Sgle NPN, 100mA
1:¥2.0792
10:¥1.356
100:¥0.66105
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.29945
参考库存:4399
晶体管
MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp
1:¥23.4362
10:¥19.8993
100:¥17.289
250:¥16.3624
1,000:¥12.3735
2,000:查看
参考库存:2755
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL PNP 50V 100MA SMT5
1:¥3.3787
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
参考库存:4754
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥58.6244
10:¥52.9405
25:¥50.4884
100:¥43.8779
参考库存:2221
晶体管
MOSFET 40V N-Ch Enh FET 20Vgs 19.2A 74nC
1:¥5.4579
10:¥4.5765
100:¥2.9493
1,000:¥2.3617
2,000:¥2.3617
参考库存:6524
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