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晶体管
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2N929A

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60Vcbo 60Vceo 30mA 500mW 1.8W
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数量单价合计
2,000
¥7.4241
14848.2
4,000
¥7.1416
28566.4
10,000
¥6.8704
68704
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-18-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
0.5 V
增益带宽产品fT
45 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
2N929A
直流电流增益 hFE 最大值
350 at 10 mA, 5 V
封装
Bulk
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
30 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
25 at 1 uA, 5 V
Pd-功率耗散
1.8 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
零件号别名
2N929A PBFREE
商品其它信息
优势价格，2N929A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SC2712-GR(TE85L,F
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 150mA 50V
暂无价格
参考库存:27564
NVMFS5C670NLWFAFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET TRENCH 6 60V NFET
1:¥7.8422
10:¥6.7348
100:¥5.1754
500:¥4.5765
5,000:¥3.2092
10,000:查看
参考库存:27567
NVMFS5C673NLAFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET TRENCH 6 60V NFET
5,000:¥2.3165
10,000:¥2.2261
25,000:¥2.147
参考库存:6243
NVD5802NT4G-VF01
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET DPAK 40V 110A 6.5MOH
2,500:¥6.102
5,000:¥5.876
10,000:¥5.65
参考库存:27572
IPP80N08S2-07
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3 OptiMOS
500:¥12.1362
1,000:¥10.0683
2,500:¥9.379
5,000:¥8.9948
参考库存:27575
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