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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Taiwan Semiconductor
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	PDFN56-8
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	40 V
Id-连续漏极电流	41 A
Rds On-漏源导通电阻	15 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	1 V
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
Qg-栅极电荷	18 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
Pd-功率耗散	56 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
系列	TSM
晶体管类型	Single N-Channel Power MOSFET
商标	Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值	34 S
下降时间	12 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	19 ns
工厂包装数量	2500
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	10 ns
典型接通延迟时间	1 ns

商品其它信息

优势价格，TSM150NB04LCR RLG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
TK34E10N1,S1X	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch PWR FET 75A 103W 100V VDSS	1:¥11.2209 10:¥8.9948 100:¥6.8817 500:¥6.0794	参考库存:2947
2SA1774TLQ	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 50V 0.15A SOT-416	1:¥2.4634 10:¥1.6611 100:¥0.69156 1,000:¥0.47686 3,000:¥0.36838	参考库存:10085
DTC114EMT2L	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 50MA	1:¥3.1527 10:¥2.0001 100:¥0.86106 1,000:¥0.66105 8,000:¥0.44522 24,000:查看	参考库存:15506
BD13910STU	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial	1:¥3.616 10:¥2.938 100:¥1.7854 1,000:¥1.3786	参考库存:6507
TK7J90E,S1E	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	MOSFET PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-3PN	1:¥20.8259 10:¥16.7466 100:¥13.447 500:¥11.752	参考库存:2899