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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	47 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SC-70
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	100 mW
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN1304
封装	Cut Tape
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	80
高度	0.9 mm
长度	2 mm
宽度	1.25 mm
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	28 mg

商品其它信息

优势价格，RN1304TE85LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
MJD32CT4G	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 3A 100V 15W PNP	1:¥4.4522 10:¥3.6499 100:¥2.2261 1,000:¥1.7176 2,500:¥1.469	参考库存:13443
2N3053	Central Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS	1:¥19.5151 10:¥17.3681 100:¥13.9103 500:¥12.1362	参考库存:2786
NTD18N06LT4G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 60V 18A N-Channel	1:¥6.8365 10:¥5.65 100:¥3.6499 1,000:¥2.9154 2,500:¥2.4634	参考库存:5476
2N6287G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	达林顿晶体管 20A 100V Bipolar Power PNP	1:¥54.2513 10:¥49.0194 50:¥46.7933 100:¥40.567	参考库存:1250
SSM3K324R,LF	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF	1:¥4.0002 10:¥2.2261 100:¥0.95259 1,000:¥0.72998 3,000:¥0.5537	参考库存:67783