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晶体管
MRF8S9200NR3参考图片

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MRF8S9200NR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHz 58W OM780-2
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库存:29,231(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥631.1615
157790.375
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
70 V
增益
19.5 dB
输出功率
58 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-780-2
封装
Reel
配置
Single
工作频率
920 MHz to 960 MHz
系列
MRF8S9200N
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
零件号别名
935314116528
单位重量
3.081 g
商品其它信息
优势价格,MRF8S9200NR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 8.9A
1:¥5.9212
10:¥4.9155
100:¥3.1753
1,000:¥2.5425
4,000:¥2.5425
参考库存:6971
晶体管
MOSFET MOSFT 40V 210A 3.6mOhm 130nC
1:¥16.1364
10:¥13.673
100:¥10.9158
500:¥9.605
1,000:¥7.91
参考库存:6006
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥10.3734
10:¥10.2152
25:¥8.6784
100:¥7.91
2,000:¥5.4014
4,000:查看
参考库存:4654
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Triple Diffused Planar Silicon
1:¥7.2998
10:¥6.2037
100:¥4.7686
500:¥4.2149
参考库存:4654
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PDTC114EMB/XQFN3/REEL 7" Q1/T1
1:¥3.2318
10:¥2.2713
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
10,000:¥0.62263
20,000:查看
参考库存:12912
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