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晶体管
FGL60N100BNTDTU参考图片

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FGL60N100BNTDTU

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库存:27,739(价格仅供参考)
数量单价合计
375
¥29.5834
11093.775
750
¥26.5098
19882.35
1,125
¥22.3627
25158.0375
2,625
¥21.2892
55884.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-264-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1000 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
25 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
180 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FGL60N100BNTD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
高度
26 mm
长度
20 mm
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
60 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 500 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
375
子类别
IGBTs
零件号别名
FGL60N100BNTDTU_NL
单位重量
6.756 g
商品其它信息
优势价格,FGL60N100BNTDTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150mW +/-100mA
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:3107
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 5A 20V
1:¥4.8364
10:¥3.9776
100:¥2.5651
700:¥2.0566
2,100:¥1.7402
参考库存:3517
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS SW TAPE-7
1:¥1.5368
10:¥1.08367
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.24634
参考库存:13027
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Digital Transtr w/built in resistors
1:¥1.5368
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
8,000:¥0.20001
24,000:查看
参考库存:8372
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥3.7629
10:¥2.9154
100:¥1.6159
1,000:¥1.2317
参考库存:7121
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