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晶体管
IRF6712STRPBF参考图片

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IRF6712STRPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 25V SINGLE N-CH 20V VGS HEXFET
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库存：6,613(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.9892
9.9892
10
¥8.4524
84.524
100
¥6.5427
654.27
500
¥5.7856
2892.8
4,800
¥4.0454
19417.92
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DirectFET-SQ
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
17 A
Rds On-漏源导通电阻
6.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.9 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
12 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.2 W
配置
Single
商标名
DirectFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.7 mm
长度
4.85 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.95 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
40 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns
工厂包装数量
4800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
SP001529206
商品其它信息
优势价格，IRF6712STRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FQD16N25CTM
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET HIGH VOLTAGE
1:¥7.0738
10:¥6.0455
100:¥4.6443
500:¥4.1019
1,000:¥3.2318
2,500:¥3.0849
参考库存:26177
TK31V60X,LQ
Toshiba
晶体管
MOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V)
1:¥37.4934
10:¥30.1258
100:¥27.5042
250:¥24.8148
2,500:¥17.8314
5,000:查看
参考库存:4131
APTGT100DA60T1G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥378.437
5:¥365.6793
10:¥353.7691
25:¥327.1802
参考库存:4140
R6035KNZC8
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET Nch 600V 35A Si MOSFET
1:¥80.456
10:¥72.772
25:¥69.382
100:¥60.2403
参考库存:36281
IPP80N06S2LH5AKSA2
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_55/60V
1:¥19.3682
10:¥16.4415
100:¥13.1419
500:¥11.526
参考库存:4577
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