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晶体管
STH265N6F6-6AG参考图片

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STH265N6F6-6AG

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 60 V, 1.6 mOhm typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in H2PAK-6 package
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库存:4,675(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥23.9786
23.9786
10
¥20.4417
204.417
100
¥17.6732
1767.32
250
¥16.7466
4186.65
1,000
¥12.6786
12678.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
1.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
183 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STH265N6F6-6AG
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
63 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
165 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
144 ns
典型接通延迟时间
31 ns
单位重量
1.600 g
商品其它信息
优势价格,STH265N6F6-6AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 120A TO220-3
1:¥29.5043
10:¥25.0521
100:¥21.7412
250:¥20.5886
参考库存:2576
晶体管
MOSFET N-CH 60V HEXFET MOSFET HEXDI
1:¥13.1419
10:¥10.9158
100:¥8.4524
500:¥7.4015
参考库存:2742
晶体管
MOSFET 60V P-Channel QFET
1:¥8.8366
10:¥7.5258
100:¥5.7856
500:¥5.1189
1,000:¥4.0341
参考库存:3897
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥5.4579
10:¥5.3788
25:¥4.5087
100:¥4.1132
2,000:¥2.8024
4,000:查看
参考库存:3725
晶体管
MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 10mOhms
1:¥20.2835
10:¥17.289
100:¥14.9838
250:¥14.2154
参考库存:3254
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