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晶体管
STH265N6F6-6AG参考图片

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STH265N6F6-6AG

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 60 V, 1.6 mOhm typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in H2PAK-6 package
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库存：4,675(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥23.9786
23.9786
10
¥20.4417
204.417
100
¥17.6732
1767.32
250
¥16.7466
4186.65
1,000
¥12.6786
12678.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
1.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
183 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STH265N6F6-6AG
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
63 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
165 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
144 ns
典型接通延迟时间
31 ns
单位重量
1.600 g
商品其它信息
优势价格，STH265N6F6-6AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPP60R210CFD7XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET LOW POWER_NEW
1:¥20.0575
10:¥17.063
100:¥13.6052
500:¥11.9102
1,000:¥9.831
参考库存:5085
FDMS86368-F085
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET NMOS PWR56 80V 4.5 MOHM
1:¥12.1362
10:¥10.3734
100:¥8.2942
500:¥7.2207
1,000:¥5.989
3,000:¥5.5709
参考库存:10082
STD12N60DM2AG
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4015
2,500:¥5.7065
5,000:查看
参考库存:6987
SQJ454EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 200V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
1:¥8.3733
10:¥6.9043
100:¥5.2997
500:¥4.5539
3,000:¥3.3448
6,000:查看
参考库存:10968
SQS405EN-T1_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified
1:¥7.8422
10:¥6.4975
100:¥4.9833
500:¥4.2827
1,000:¥3.3787
3,000:¥3.3787
参考库存:8302
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