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晶体管

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APTGT200A120G

  • Microsemi
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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存:4,439(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,263.6338
1263.6338
5
¥1,232.4345
6162.1725
10
¥1,202.772
12027.72
25
¥1,159.0523
28976.3075
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
280 A
栅极—射极漏泄电流
500 nA
Pd-功率耗散
890 W
封装 / 箱体
SP6
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
优势价格,APTGT200A120G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 60V N-Ch PWR FET 1.9mOhm 10V 10uA
1:¥19.21
10:¥15.5262
100:¥12.4526
500:¥10.9158
参考库存:3136
晶体管
MOSFET NCH+NCH 4.5A 60V 4V DRIVE
1:¥6.3732
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
2,500:¥2.2939
参考库存:3980
晶体管
MOSFET P-Ch Small Signal 270pF -2A -20V 4.6nC
1:¥3.616
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:8821
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
1:¥4.0002
10:¥2.2826
100:¥1.2543
500:¥1.01474
3,000:¥0.56048
9,000:查看
参考库存:5923
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS8
1:¥202.4734
5:¥193.4108
10:¥187.3314
25:¥172.1216
参考库存:2939
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