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晶体管

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APTGT200A120G

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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存:4,439(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,263.6338
1263.6338
5
¥1,232.4345
6162.1725
10
¥1,202.772
12027.72
25
¥1,159.0523
28976.3075
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
280 A
栅极—射极漏泄电流
500 nA
Pd-功率耗散
890 W
封装 / 箱体
SP6
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
优势价格,APTGT200A120G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82 mohms @ 10V
1:¥5.8421
10:¥4.6669
100:¥3.5369
500:¥2.9154
1,000:¥2.3391
3,000:¥2.1244
参考库存:77445
晶体管
MOSFET N-channel 600 V 0.190 ohm 16A Mdmesh
1:¥45.878
10:¥39.0302
100:¥33.8096
250:¥32.0468
1,000:¥24.2837
2,000:查看
参考库存:4687
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
1:¥31.0411
10:¥26.3516
100:¥22.826
250:¥21.6734
1,000:¥16.3624
2,000:查看
参考库存:4516
晶体管
MOSFET 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W
1:¥3.0736
10:¥2.5199
100:¥1.5368
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.01474
参考库存:581416
晶体管
MOSFET 300V, 70A, 32 mOhm 180 nC Qg, TO-247AC
1:¥47.6408
10:¥43.1095
25:¥41.1094
100:¥35.6515
参考库存:3473
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