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晶体管
HGTG20N60B3参考图片

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HGTG20N60B3

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库存:35,021(价格仅供参考)
数量单价合计
450
¥25.7414
11583.63
900
¥23.052
20746.8
1,350
¥19.436
26238.6
2,700
¥18.5207
50005.89
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
165 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGTG20N60B3
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
高度
4.82 mm
长度
15.87 mm
宽度
20.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
40 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
HGTG20N60B3_NL
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格,HGTG20N60B3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Digital TR NPN
1:¥2.0792
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.40002
8,000:¥0.26894
24,000:查看
参考库存:9353
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥15.9782
10:¥13.6052
100:¥10.8367
500:¥9.5259
1,000:¥7.8422
参考库存:2458
晶体管
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
1:¥4.8364
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
2,500:¥1.7628
参考库存:5834
晶体管
MOSFET 60V 7.5Ohm
1:¥3.9211
10:¥3.8985
25:¥3.2431
100:¥2.9267
参考库存:3652
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP/50V/2A
1:¥3.2996
10:¥2.3165
100:¥1.06785
1,000:¥0.82264
2,000:¥0.69947
参考库存:8977
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