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晶体管
MJE521参考图片

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MJE521

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40Vcbo 40Vceo 4.0Vebo 4.0A 40W
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数量单价合计
2,000
¥4.0002
8000.4
10,000
¥3.842
38420
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-126-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极—基极电压 VCBO
40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
最大直流电集电极电流
8 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJE521
封装
Bulk
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
40 at 1 A, 1 V
Pd-功率耗散
40 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
零件号别名
MJE521 PBFREE
商品其它信息
优势价格,MJE521的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET
1:¥4.9155
10:¥4.0906
100:¥2.6329
1,000:¥2.1131
2,000:¥1.7854
参考库存:41781
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥744.8847
2:¥721.7536
5:¥721.5276
10:¥698.3174
参考库存:2581
晶体管
IGBT 模块
1:¥3,070.3004
5:¥2,885.2629
参考库存:2614
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥3.7629
10:¥3.7403
25:¥3.164
100:¥2.8476
2,000:¥1.9436
4,000:查看
参考库存:3613
晶体管
MOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
1:¥67.235
100:¥64.6247
500:¥61.472
参考库存:3422
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