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晶体管
AUIRGP50B60PD1E参考图片

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AUIRGP50B60PD1E

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V AUTO WARP2 150KHZ COPACK IGBT
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库存:2,272(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥78.8401
78.8401
10
¥71.2352
712.352
25
¥67.9243
1698.1075
100
¥59.0086
5900.86
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.35 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
75 A
Pd-功率耗散
390 W
最小工作温度
- 55 C
资格
AEC-Q101
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001511546
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,AUIRGP50B60PD1E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 50V NPN
1:¥0.84524
10:¥0.7458
100:¥0.26103
1,000:¥0.17628
10,000:¥0.11526
20,000:查看
参考库存:197618
晶体管
MOSFET LOW VOLTAGE
1:¥15.368
10:¥13.0628
100:¥10.4525
500:¥9.1417
3,000:¥7.0286
6,000:查看
参考库存:7033
晶体管
MOSFET 4V Drive Nch MOSFET
1:¥44.7932
10:¥38.0358
100:¥33.0412
250:¥31.3462
1,000:¥23.6622
2,000:查看
参考库存:2390
晶体管
MOSFET NFET WDFN6 30V 1.4 Ohms
1:¥6.6896
10:¥5.5709
100:¥3.5934
1,000:¥2.8815
3,000:¥2.4295
参考库存:9806
晶体管
MOSFET 500V N-Channel QFET
1:¥55.1666
10:¥49.8669
25:¥47.5617
100:¥41.3354
参考库存:1896
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