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晶体管
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VN10LP

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库存:12,463(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.989
5.989
10
¥5.0285
50.285
100
¥3.2431
324.31
1,000
¥2.599
2599
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
270 mA
Rds On-漏源导通电阻
5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
625 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
VN10
晶体管类型
1 N-Channel
类型
FET
宽度
2.41 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
100 mS
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,VN10LP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1
1:¥3.5369
10:¥2.0566
100:¥0.96841
1,000:¥0.7458
3,000:¥0.61472
参考库存:8729
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS5
1:¥111.644
5:¥107.2709
10:¥103.2707
25:¥94.8974
参考库存:4357
晶体管
MOSFET N-channel 30 V 18.1 mo FET
1:¥3.5369
10:¥2.9154
100:¥1.7854
1,000:¥1.3786
1,500:¥1.3786
参考库存:6860
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor General Purpose
1:¥2.2261
10:¥1.4803
100:¥0.61472
1,000:¥0.42262
2,000:¥0.32996
参考库存:15262
晶体管
IGBT 模块 Bridge Rectifier 1200V
1:¥278.7032
5:¥272.556
10:¥260.0243
25:¥249.1876
参考库存:4292
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