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晶体管
IKW30N60TFKSA1参考图片

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IKW30N60TFKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 30A
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数量单价合计
1
¥35.9566
35.9566
10
¥30.5778
305.778
100
¥26.5098
2650.98
250
¥25.1312
6282.8
500
¥22.5887
11294.35
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
45 A
Pd-功率耗散
187 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
39 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW30N60T IKW3N6TXK SP000054887
单位重量
5 g
商品其它信息
优势价格，IKW30N60TFKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ALD910020SAL
Advanced Linear Devices
晶体管
MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.00V
50:¥21.6734
100:¥20.2835
250:¥18.2834
500:¥16.4415
参考库存:37248
JANTX2N4234
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥371.6796
250:¥346.9326
参考库存:37254
2N4859UB
Microsemi
晶体管
JFET JFET
100:¥519.5966
参考库存:37257
JAN2N5152
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥183.1052
10:¥166.5168
25:¥153.9851
50:¥145.6909
参考库存:37260
RN2310(TE85L,F)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA -50volts 3Pin 4.7Kohms
暂无价格
参考库存:37263
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