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VS-GB400TH120U

  • Vishay Semiconductors
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  • IGBT 模块 Output & SW Modules - DIAP IGBT
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数量单价合计
12
¥1,988.1559
23857.8708
36
¥1,960.3466
70572.4776
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 模块
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.1 V
在25 C的连续集电极电流
660 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
2.66 kW
封装 / 箱体
INT-A-PAK
最大工作温度
+ 150 C
商标
Vishay Semiconductors
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
12
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格，VS-GB400TH120U的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NVMFS5833NWFT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 40V 86A 7.5MOH
1,500:¥3.5595
9,000:¥3.4239
24,000:¥3.3109
参考库存:42111
NIC9N05TS1
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET DIE CLAMPEDFET 55V
3,500:¥8.5315
7,000:¥8.2264
10,500:¥7.91
参考库存:42114
CMLDM7003T TR
Central Semiconductor
晶体管
MOSFET Dual N-Ch Enh FET 50Vds 50Vdg 12Vgs
3,000:¥1.12209
6,000:¥1.12209
9,000:¥1.04525
24,000:¥0.99101
45,000:¥0.96841
99,000:¥0.92999
参考库存:42117
RJH60F4DPK-00#T0
Renesas Electronics
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥31.0411
10:¥27.7415
25:¥24.973
50:¥23.8204
参考库存:42120
JAN2N3637UB
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥140.007
250:¥127.6335
500:¥119.4071
参考库存:42123
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