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晶体管
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FDC6506P

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库存:20,231(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.616
36.16
100
¥2.3391
233.91
1,000
¥1.8645
1864.5
3,000
¥1.5707
4712.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SSOT-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
1.8 A
Rds On-漏源导通电阻
170 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
960 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
FDC6506P
晶体管类型
2 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.6 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
3 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
7 ns
零件号别名
FDC6506P_NL
单位重量
30 mg
商品其它信息
优势价格,FDC6506P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 500mA/50V w/bias resistors
1:¥2.3052
10:¥1.5707
100:¥0.66105
1,000:¥0.44522
3,000:¥0.35369
参考库存:16800
晶体管
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 30A
1:¥35.9566
10:¥30.5778
100:¥26.5098
250:¥25.1312
500:¥22.5887
参考库存:4344
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V 300mW
1:¥2.0792
10:¥1.4577
100:¥0.60681
1,000:¥0.41471
3,000:¥0.32318
参考库存:28014
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.50737
9,000:¥0.45313
24,000:¥0.42262
参考库存:30430
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 50A 650V
1:¥611.0362
5:¥599.8153
10:¥584.2891
25:¥572.8422
参考库存:4108
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