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晶体管
DMN61D8LVTQ-13参考图片

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DMN61D8LVTQ-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch Enh Mode FET 41 to 60V Low Rdson
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¥1.1978
11978
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOT-26-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
630 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
740 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.09 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Reel
高度
1 mm
长度
2.9 mm
系列
DMN61
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.6 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
80 mS
下降时间
440 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
301 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
582 ns
典型接通延迟时间
131 ns
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMDT4146-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN BIPOLAR
1:¥2.6103
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:19319
IRG4BC20KDPBF
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-25kHz
1:¥21.357
10:¥18.1365
100:¥14.5205
500:¥12.6786
参考库存:3210
AUIRLL2705TR
Infineon / IR
晶体管
MOSFET Automotive MOSFET 40 FET 40V, 5A, 65mOhm
1:¥10.7576
10:¥9.2208
100:¥7.0286
500:¥6.2037
2,500:¥4.3505
10,000:查看
参考库存:3288
PUMH20,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥2.4634
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:11923
2N7002-G
Comchip Technology
晶体管
MOSFET BVDD=60V ID=200mA
1:¥2.6103
10:¥1.7063
100:¥0.7684
1,000:¥0.48364
3,000:¥0.36838
参考库存:8000
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